[한국방송/김명성기자] 과학기술정보통신부와 한국과학기술단체총연합회는 올해 '대한민국최고과학기술인상' 수상자로 황철성 서울대학교 석좌교수를 선정했다고 3일 밝혔다.

대한민국최고과학기술인상은 우리나라를 대표하는 연구성과를 이룬 과학기술인을 발굴해 널리 알리고 명예와 자긍심을 높이기 위해 지난 2003년부터 시상해 온 국내 최고 권위의 과학기술인상이다.

올해 대한민국최고과학기술인상은 지난해 말부터 공모와 발굴, 추천으로 접수된 후보자를 대상으로 전공자심사, 분야심사, 통합심사 등 3단계 심사과정을 거쳐 최종 1명을 선정했다.

수상자는 연구개발 업적뿐 아니라 우리나라 경제발전 기여도, 국민생활 향상에 미친 영향 등을 종합 평가해 선정했으며 지난해까지 모두 47명이 수상했다.

올해 수상자로 선정된 황철성 교수는 기존 디램(DRAM), 낸드플래시(NAND flash) 등의 메모리 반도체 분야를 뛰어넘는 새로운 소자와 물질 발견에 크게 기여했다. 특히 저항 스위칭 재료와 소자 분야의 선구적 업적으로 국가 반도체산업 발전에 기여한 공로를 인정받았다.

황 교수는 동료 교수들과 협력 연구로 '플래티넘/이산화티타늄/플래티넘 구조(Pt/TiO2/Pt) 시스템' 내의 나노 필라멘트를 직접적으로 분석해 저항 변화 메모리 소자의 전환 메커니즘이 마그넬리상(Magnéli phase) 티타늄산화물(TinO2n-1) 필라멘트의 형성과 붕괴로 발생한다는 것을 최초로 확인했다.

해당 연구는 지난 2010년 네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology)에 발표된 이후 현재까지 2450회 이상 인용되며, 저항 변화 메모리 반도체 분야에서 인용 빈도수 상위 다섯 번째 내 논문으로 자리매김했다.

또한 황 교수는 SCI 논문 750편을 발표하고, 국내외 특허 227건(142건 출원, 85건 등록)과 기술이전 16건 등 학술 연구뿐만 아니라 지속적인 산·학 협력으로 반도체 산업 발전에도 크게 공헌하고 있다.

아울러 최근에는 인간의 뇌처럼 작동하는 뉴로모픽 반도체 개발 연구에 힘쓰고 있어 향후 지속가능한 반도체 분야 기술 개발에 기여할 것으로 기대된다.

황 교수는 서울대학교 무기재료공학과에서 학·석·박사를 마치고 삼성전자 반도체연구소에서 선임연구원으로 근무한 뒤 1998년부터 서울대 재료공학부 교수로 재직해 왔으며, 현재까지 석사 65명, 박사 100명을 배출하는 등 차세대 반도체 분야 전문인력 양성에 기여하고 있다.

과기정통부는 오는 9일 한국과학기술회관에서 개최하는 세계한인과학기술인대회 개회식에서 수상자인 황 교수에게 대통령 상장과 상금 3억 원을 수여할 예정이다.

한편, 세계한인과학기술인대회는 전 세계 한인과학기술인의 최대 교류의 장으로 과기정통부 주최, 한국과학기술단체총연합회와 19개 재외한인과학기술자협회 주관으로 오는 8일부터 10일까지 한국과학기술회관에서 개최한다.

문의: 과학기술정보통신부 미래인재정책국 과학기술안전기반팀(044-202-4853), 한국과학기술단체총연합회 과학문화부(02-3420-1312)